Coosti

Transistorer

Sammenlign priser på transistorer til forstærkning og switching, og find den rigtige komponent til dit kredsløb. Her finder du BJT (NPN/PNP), MOSFET (inkl. logic-level), JFET og IGBT fra mærker som Infineon, STMicroelectronics, Nexperia, onsemi og Vishay i pakninger fra SOT-23 til TO-220. Vælg ud fra spændings- og strømkrav, RDS(on)/hFE, effekt og frekvens, og husk at matche gate/drive-niveauer (3,3/5 V) samt tjekke Safe Operating Area og køling.

1 produkter
Viser 1-1 af 1 produkter

Købsguide: Transistorer

Transistorer er grundstenen i moderne elektronik – fra simple LED-dimmere til avancerede strømforsyninger og motorstyringer. Uanset om du bygger et hobbyprojekt eller vedligeholder professionelt udstyr, er den rigtige transistor afgørende for driftssikkerhed, effektivitet og levetid. Her får du en praktisk, jordnær guide til at vælge rigtigt første gang.

Hvad er en transistor – og hvornår bruger du hvad?

En transistor fungerer som en elektronisk kontakt eller forstærker. I praksis vælger du type efter opgaven:

  • Småsignal (måling, lyd, sensorer): Ofte BJT (NPN/PNP) eller JFET for lavt støjniveau.
  • Switching (tænd/sluk af last, PWM): MOSFET (N- eller P-channel) for lavt tab og hurtig styring.
  • Høj effekt/høj spænding (invertere, motorstyring): IGBT eller power-MOSFET.

De mest almindelige typer

  • BJT (Bipolar Junction Transistor): God til analog forstærkning og småsignal. Kig efter hFE (forstærkning), Vceo (spænding) og Ic (max strøm). NPN er typisk “low-side” switching; PNP til “high-side” i simple kredsløb.
  • MOSFET: Standard til effektiv switching. Vigtige parametre er Vds (spænding), Id (strøm), Rds(on) (ledningstab) og gate charge (Qg) for switchinghastighed. Vælg “logic-level” MOSFET hvis du driver direkte fra 3,3 V eller 5 V.
  • JFET: Lavt støjgulv og stabil analog opførsel, ofte i indgange og preamps. Begrænset i effekt.
  • IGBT: Kombinerer MOSFET-styring med BJT-udgang; robust ved høj spænding og middel/høj strøm. Bruges i f.eks. svejsere og motoromformere.
  • Specielle varianter: Depletion-mode MOSFET, darlington-transistorer (høj hFE men højere spændingsfald), og matchede par til audio og præcisionskredsløb.

Kerne-specifikationer du skal matche

  • Maks. spænding: Vceo (BJT) eller Vds (MOSFET). Vælg mindst 20–30% over din højeste forventede driftsspænding for margin.
  • Maks. strøm: Ic/Id kontinuerlig og peak. Husk derating ved høj temperatur – læs datasheetets kurver.
  • Effektafsættelse (Pd) og termik: Beregn tab (f.eks. I²×Rds(on) for MOSFET), og vurder køleprofil. SOA (Safe Operating Area) skal respekteres, især ved lineær drift.
  • Rds(on) (MOSFET): Lavere er bedre for effektivitet, men vær opmærksom på at værdien angives ved en given gate-spænding (typisk 4,5 V eller 10 V).
  • Gate/basestyring: Vgs(th) er ikke driftsniveau; du skal typisk 2–4 V over for fuld ledning. For BJT dimensionér base-modstand og strøm (Ib) korrekt i forhold til ønsket Ic.
  • Switchinghastighed: Gate charge (Qg), rise/fall time og Miller-kapacitans påvirker tab ved PWM. Høj frekvens kræver lave Qg og ofte en gate-driver.
  • Støj og linearitet: Ved audio/småsignal kan lavt støjniveau (noise figure) og lineære karakteristikker veje tungere end rå effektdata.

Pakninger og montage

  • Through-hole: TO-92 (småsignal), TO-220 (power). Nemme at prototypere med, let at montere på køleplade.
  • SMD: SOT-23 (kompakt småsignal), DPAK/D2PAK/PowerPAK (power). Godt til højfrekvens og automatiseret montage, men kræver god loddepraksis og termisk layout.
  • Termisk kobling: Brug termopasta og isolerskiver ved behov. Tjek om dræn/collector er forbundet til metalbagpladen.

Anvendelser: konkrete valg

  • LED- og små laster fra microcontroller: N-channel logic-level MOSFET med lav Rds(on) ved 3,3–5 V gate; tilføj gate-modstand (f.eks. 100 Ω) og pull-down.
  • Motorer/relæer: MOSFET med god SOA og lav Rds(on). Altid flyback-diode over induktiv last. Overvej gate-driver ved >20 kHz PWM.
  • Lyd og sensorer: Lavstøj BJT eller JFET. Matchede par kan forbedre kanalbalance i stereo.
  • Netspænding/høj HV DC: IGBT eller HV-MOSFET med rigelig spændingsmargin og korrekt isolation og creepage på print.

Praktiske tips fra værkstedet

  • Datasheet først: Sammenlign måleforhold (temperatur, gate-spænding) – mange falder i fælden med “typiske” værdier.
  • ESD-beskyttelse: MOSFET-gates er følsomme. Brug armbånd og opbevar i antistatisk emballage.
  • Derating: Design med 30–50% margin på strøm og effekt til hobby; mere i professionel drift.
  • Gate-driver: Ved høje strømme/høj frekvens reducerer en dedikeret driver switchingtab og varme.
  • Polaritet og pinout: Tjek altid ben-konfiguration; samme hus kan have forskellig pinning mellem producenter.
  • Ægthed og kvalitet: Køb kendte serier (f.eks. fra Infineon, ST, Vishay, ON Semi). Billige kloner kan have oppustede specifikationer.

Hvad skal du være opmærksom på ved køb?

  • Kompatibilitet med styring: Kan den ledes fuldt ved din tilgængelige gate/base-spænding?
  • Termisk design: Har du plads til køling, eller skal du vælge en variant med lavere tab?
  • Forsyningens støj og transienter: Dimensionér for spikes; overvej TVS-dioder og snubber-netværk.
  • Lager og udskiftning: Vælg standardtyper for nem genanskaffelse; undgå svært tilgængelige nichekomponenter, hvis produktet skal vedligeholdes.

Sammenfatning: de vigtigste punkter

Definér applikation og strøm/spænding først. Vælg transistor-type efter brug (BJT/JSFET til småsignal, MOSFET til switching, IGBT til høj spænding). Tjek nøgleparametre: Vds/Vceo, Id/Ic, Rds(on)/hFE, effektafsættelse og SOA. Sørg for korrekt gate/base-drive, passende køling, og beskyttelse mod induktive spikes. Match pakning til montage og termiske behov, og brug kendte serier med gode, gennemskuelige datasheets. Med lidt margin og grundig læsning af specifikationer får du en løsning, der både er stabil, effektiv og til at betale.

Vigtige funktioner at overveje

Vigtige specifikationer og funktioner for transistorer

Transistortype og polaritet

Vælg MOSFET, BJT eller IGBT efter last, frekvens og effektivitet. N-kanal/NPN giver typisk lavere tab end P-kanal/PNP; P-kanal/PNP kan dog forenkle high-side-kobling.

Spænding og strøm

Sikr at VDS/VCE og ID/IC matcher applikationen med 20–50% sikkerhedsmargin. Tjek også SOA-kurver for puls- og startstrømme, ikke kun de statiske max-værdier.

Effekt og varme

Beregn tab via RDS(on) eller VCE(sat) × I og vurder RθJA/RθJC for køling. Pakke og footprint (fx SOT-23, DPAK, TO-220) bestemmer varmeafledning og montagekrav.

Drev og switching

For MOSFET: vælg ‘logic-level’ med lav RDS(on) ved 2,5–4,5 V og lav Qg/Ciss/Coss til hurtig switching. For BJT: se hFE og beregn nødvendig basisstrøm; overvej gate/base-modstand og driver for kontrolleret slew.

Ofte stillede spørgsmål

Hurtige svar på almindelige spørgsmål

Lars Bjerregaard - Kategoriansvarlig - Elektronik & Computere
Lars Bjerregaard

Kategoriansvarlig - Elektronik & Computere

Lars er passioneret omkring teknologi og har gennem mange år specialiseret sig i elektronik og computere. Han følger markedet tæt og elsker at teste nye gadgets. Lars har bred erfaring med alt fra smartphones til gaming-udstyr og deler gerne sin viden om de nyeste teknologiske trends.

8+ års erfaring
Vis profil